姓名：余念念

性别：女

出生年月：1988年02月

职称/职务：副教授

学位/学历：博士/研究生

硕/博生导师：硕导

联系方式：niannianyu@whut.edu.cn

研究方向：新型非易失性半导体存储器：相变存储器、忆阻器；面向高能效类脑计算的神经形态电子器件

教育背景与工作经历：

2010.09-2014.12，华中科技大学武汉光电国家研究中心，微电子学与固体电子学，工学博士

2006.09-2010.06，华中科技大学，电子科学与技术，工学学士

2015.03-2017.08，武汉理工大学，物理与力学学院，讲师、硕士生导师

2017.09-今，武汉理工大学，物理与力学学院，副教授、硕士生导师

主要教学科研成果：

1. 代表性论文：

[1] Qin Y, Wu M, Yu N*, et al., Threshold switching memristor based on 2D SnSe for nociceptive and LIF neuron simulation[J]. ACS Appl. Electron. Mater. 2024, 6, 4939-4947.

[2] Yan Y, Yu N*, Yu Z, et al., Optoelectronic Synaptic Memtransistor Based on 2D SnSe/MoS2 van der Waals Heterostructure under UV-Ozone Treatment[J]. Small Methods, 2023, 2201679.

[3] Zhao J, Yu Z, Yu N*, et al., A type-II GeSe/SnTe heterostructure with superior optical absorption and strain tunable photovoltaic properties[J]. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2023, 98, 52.

[4] Amin A, Yu N, Adachi M, et al., Free-Standing Multilayer Molybdenum Disulfide Memristor for Brain-Inspired Neuromorphic Applications[J]. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2021, 13, 45843-45853.

[5] Xian X, Yu N*, Zhao J, et al., Tellurium vacancy in two-dimensional Si2Te3 for resistive random-access memory[J]. J. Solid State Chem., 2021, 303, 122448.

[6] Li P, Yu N*, Wang J, Improved phase change properties in layered Sc_xIn_2−xSe₃ for multilevel information storage[J]. J. Phys. D: Appl. Phys., 2020, 53, 285101.

[7] Li K, Xian X, Wang J, and Yu N*, First-principle study on honeycomb fluorated-InTe monolayer with huge Rashba spin splitting and direct bandgap[J]. Appl. Surf. Sci., 2019, 471C, 18-22. 

[8] Yu N, Yuan J, Li K, and Wang J*. Tunable Rashba spin splitting in two-dimensional graphene/As-I heterostructures[J]. Appl. Surf. Sci., 2018, 427: 10-14.

2．发明专利：

[1] 一种Sn-Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法，授权号：ZL 202110267081.1。

[2] 一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置，申请号：2023106300174。

主要科研项目：

1. 国家自然科学基金青年基金项目“低维Bi-Te基纳米材料的制备及其电输运的尺寸效应研究”，2016-2018。

2. 国家科技重大专项子课题“3D X-Point存储器关键技术研究”，2017-2019。

3. 湖北省科技重大专项子课题“三维堆叠代码型闪存的可靠性及失效分析研究”，2020-2023。

学术兼职：

无